晶圆清洗机厂家介绍晶圆清洗技术（六）

晶圆清洗机厂家介绍晶圆清洗技术（六）

（1）Ammonium hydroxide/hydrogen per ox ide/DI water mixture (APM; NH4OH/H2O2/ H2O at 65～80℃).APM通常称为SC1清洗液，其配方为：NH4 OH:H2O2：H2O=1:1:5～1:2:7，以氧化和微蚀刻来底切和去除表面颗粒；也可去除轻微有`机污染物及部分金属化污染物。晶圆清洗机厂家介绍但硅氧化和蚀刻的同时会发生表面粗糙。

（2）Hydrochloric acid/hydrogen peroxide/DI water mixture (HPM; HCI/ H2O2/ H2O at 65~80℃).HPM通常称为SC-2清洗液，其配方为：HCI: H2O2:H2O=1:1:6～1:2:8，可溶解碱金属离子和铝、铁及镁之氢氧化物，晶圆清洗机厂家介绍另外盐酸中氯离子与残留金属离子发生络合反应形成易溶于水溶液的络合物，可从硅的底层去除金属污染物。

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