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晶圆清洗机厂家介绍晶圆清洗技术(四)

发布日期:2023-04-24 内容来源于:http://www.szsi-tech.com.cn/

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晶圆清洗机厂家介绍晶圆清洗技术(四)


2.4 原生氧化物及化学氧化物 

晶圆清洗机厂家硅原子非·常容易在含氧气及水的环境下氧化形成氧化层,称为原生氧化层。硅晶圆经过SC-1和SC-2溶液清洗后,由于双氧水的强氧化力,在晶圆表面上会生成一层化学氧化层。为了确保闸极氧化层的品质,此表面氧化层必须在晶圆清洗过后加以去除。另外,在IC制程中采用化学汽相沉积法(CVD)沉积的氮化硅、二氧化硅等氧化物也要在相应的清洗过程中有选择的去除。


3清洗方法分类


3.1 湿法清洗


晶圆清洗机厂家湿法清洗采用液体化学溶剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有`机物及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、稀释化学法、 IMEC清洗法、单晶片清洗等. 

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