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硅化物残留是半导体晶圆制造行业 CMOS 技术中常见且众所周知的缺陷。这种缺陷通常存在于硅化物预清洁步骤之后，即使用标准稀释氢氟酸 (dHF) 清洁后的产品晶片。这种缺陷会导致感应漏电流，直接影响电子产品的电气性能。像许多其他晶圆厂一样，采取了主动和努力，但从未产生非.常显着的改进。直到今天，这种类型的缺陷仍然存在，并且仍然是晶圆制造行业中zui具挑战性和未解决的现象之一。
半导体晶片制造行业的进步一直在迅速推进。半导体晶圆制造简称“fab”，是与其他行业相比zui复杂的制造工艺。半导体晶圆的制造需要zui先进的技术，以在全球竞争者中争先恐后。用于电子集成电路 (IC) 制造的晶圆通常为圆形硅盘大小，直径范围从 6”、8” 到 12”。在完成制造过程后，单个晶圆盘的厚度约为 700 微米，然后再送zhi晶圆锯切工艺。
晶圆制造用于构建具有必要电气结构的组件。制造是由许多重复的顺序过程组成的过程，以生产完整的电子或光子电路。通常，整个晶圆制造过程被细分为zhi少六个不同的模块，即注入、光刻、薄膜、扩散、CMP 和湿法清洁。一个典型的晶圆需要 200 多个重复的工艺步骤，从总步骤到 1000 步。一个普通产品的平均周期时间需要 60 到 90 天。
经过 DHF 清洁后的晶片表面会导致缺陷，去离子水源或低压干燥器不会导致残留物的形成。为受影响的低良率支付额外成本，但为未来开发更清洁的晶圆表面很重要。使用额外的添加剂可能可以去除残留物，但在很大程度上受到电子测试参数的影响。
