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RCA清洗技术

发布日期:2021-05-17 内容来源于:http://www.szsi-tech.com.cn/

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传统的RCA清洗技术:所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统清洗工序:SC-1→DHF→SC-2

1.SC-1清洗去除颗粒:

⑴目的:主要是去除颗粒沾污(粒子)也能去除部分金属杂质。

⑵去除颗粒的原理:硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜(约6nm呈亲水性),该氧化膜又被NH4OH腐蚀,腐蚀后立即又发生氧化,氧化和腐蚀反复进行,因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。

①自然氧化膜约0.6nm厚,其与NH4OH、H2O2浓度及清洗液温度无关。

②SiO2的腐蚀速度,随NH4OH的浓度升高而加快,其与H2O2的浓度无关。

③Si的腐蚀速度,随NH4OH的浓度升高而快,当到达某一浓度后为一定值,H2O2浓度越高这一值越小。

④NH4OH促进腐蚀,H2O2阻碍腐蚀。

⑤若H2O2的浓度一定,NH4OH浓度越低,颗粒去除率也越低,如果同时降低H2O2浓度,可抑制颗粒的去除率的下降。

⑥随着清洗洗液温度升高,颗粒去除率也提高,在一定温度下可达最大值。

⑦颗粒去除率与硅片表面腐蚀量有关,为确保颗粒的去除要有一定量以上的腐蚀。

超声波清洗时,由于空洞现象,只能去除≥0.4μm颗粒。兆声清洗时,由于0.8Mhz的加速度作用,能去除≥0.2μm颗粒,即使液温下降到40℃也能得到与80℃超声清洗去除颗粒的效果,而且又可避免超声洗晶片产生损伤。

⑨在清洗液中,硅表面为负电位,有些颗粒也为负电位,由于两者的电的排斥力作用,可防止粒子向晶片表面吸附,但也有部分粒子表面是正电位,由于两者电的吸引力作用,粒子易向晶片表面吸附。

⑶.去除金属杂质的原理:

①由于硅表面的氧化和腐蚀作用,硅片表面的金属杂质,将随腐蚀层而进入清洗液中,并随去离子水的冲洗而被排除。

②由于清洗液中存在氧化膜或清洗时发生氧化反应,生成氧化物的自由能的绝对值大的金属容易附着在氧化膜上如:Al、Fe、Zn等便易附着在自然氧化膜上。而Ni、Cu则不易附着。

③Fe、Zn、Ni、Cu的氢氧化物在高PH值清洗液中是不可溶的,有时会附着在自然氧化膜上。

④实验结果:

a.据报道如表面Fe浓度分别是1011、1012、1013原子/cm2三种硅片放在SC-1液中清洗后,三种硅片Fe浓度均变成1010原子/cm2。若放进被Fe污染的SC-1清洗液中清洗后,结果浓度均变成1013/cm2。

b.用Fe浓度为1ppb的SC-1液,不断变化温度,清洗后硅片表面的Fe浓度随清洗时间延长而升高。

 

对应于某温度洗1000秒后,Fe浓度可上升到恒定值达1012~4×1012原子/cm2。将表面Fe浓度为1012原子/cm2硅片,放在浓度为1ppb的SC-1液中清洗,表面Fe浓度随清洗时间延长而下降,对应于某一温度的SC-1液洗1000秒后,可下降到恒定值达4×1010~6×1010原子/cm2。这一浓度值随清洗温度的升高而升高。

 

从上述实验数据表明:硅表面的金属浓度是与SC-1清洗液中的金属浓度相对应。晶片表面的金属的脱附与吸附是同时进行的。

 

即在清洗时,硅片表面的金属吸附与脱附速度差随时间的变化到达到一恒定值。

 

以上实验结果表明:清洗后硅表面的金属浓度取决于清洗液中的金属浓度。其吸附速度与清洗液中的金属络合离子的形态无关。

 

c.用Ni浓度为100ppb的SC-1清洗液,不断变化液温,硅片表面的Ni浓度在短时间内到达一恒定值、即达1012~3×1012原子/cm2。这一数值与上述Fe浓度1ppb的SC-1液清洗后表面Fe浓度相同。

这表明Ni脱附速度大,在短时间内脱附和吸附就达到平衡。

⑤清洗时,硅表面的金属的脱附速度与吸附速度因各金属元素的不同而不同。特别是对Al、Fe、Zn。若清洗液中这些元素浓度不是非常低的话,清洗后的硅片表面的金属浓度便不能下降。对此,在选用化学试剂时,按要求特别要选用金属浓度低的超纯化学试剂。

 

例如使用美国Ashland试剂,其CR-MB级的金属离子浓度一般是:H2O2<10ppb、HCL<10ppb、NH4OH<10ppb、H2SO4<10ppb

 

⑥清洗液温度越高,晶片表面的金属浓度就越高。若使用兆声波清洗可使温度下降,有利去除金属沾污。

⑦去除有机物。

由于H2O2的氧化作用,晶片表面的有机物被分解成CO2、H2O而被去除。

⑧微粗糙度。

晶片表面Ra与清洗液的NH4OH组成比有关,组成比例越大,其Ra变大。Ra为0.2nm的晶片,在NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5的SC-1液清洗后,Ra可增大至0.5nm。为控制晶片表面Ra,有必要降低NH4OH的组成比,例用0.5:1:5

⑨COP(晶体的原生粒子缺陷)。

 

对CZ硅片经反复清洗后,经测定每次清洗后硅片表面的颗粒≥2μm的颗粒会增加,但对外延晶片,即使反复清洗也不会使≥0.2μm颗粒增加。据近几年实验表明,以前认为增加的粒子其实是由腐蚀作用而形成的小坑。在进行颗粒测量时误将小坑也作粒子计入。

 

小坑的形成是由单晶缺陷引起,因此称这类粒子为COP(晶体的原生粒子缺陷)。

 

据介绍直径200mm硅片按SEMI要求:256兆≥0.13μm,<10个/片,相当COP约40个。


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