晶圆化学镀设备

晶圆化学镀设备专为半导体晶圆行业湿法制程设计，通过化学反应在晶圆表面形成均匀镀层，实现导电、钝化或功能材料沉积。该设备适用于手动/自动化机台，可集成电镀液循环系统与温控模块，满足功率器件、先进封装等场景的金属/合金层制备需求。

技术特点

适用工艺 & 应用领域

材料兼容性：明确支持Si/SiC/GaN/InP第三代半导体及陶瓷/玻璃基板，覆盖主流半导体材料体系。

高端制程适配性：针对TSV填充、RDL布线、UBM金属层、ENEPIG表面处理等先进封装工艺，符合2.5D/3D集成需求。

高精度镀层控制

技术参数合理性：±0.03μm厚度精度与＜3%均匀性偏差（F面覆盖率70~80%），需依赖闭环药液循环+智能温控系统实现，符合高端电镀设备性能标准。

缺陷控制逻辑：PLC实时监控可动态补偿工艺波动，理论上减少空洞/剥离风险，但实际效果需结合具体工艺验证。

智能化与环保设计

自动化流程：“Dry-in to Dry-out”全流程自动化（FOUP传输/8-12英寸兼容）符合现代晶圆厂无人化生产趋势。

AI优化逻辑：机器学习预测药液衰减并自动调整参数，延长镀液寿命30%具备技术可行性，但需数据训练支撑。

安全设计：压力/液位传感+尾气回收模块可实现有毒物质“零外泄”，模块化维护降低停机成本，符合工业安全规范。

应用领域

全面支持Si、SiC、GaN、InP等第三 代半导体材料，以及陶瓷、玻璃等异 质基板。