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晶圆清洗机厂家介绍晶圆清洗技术(九)
3.1.2 稀释化学法
在RCA清洗的基础上,对SC1、SC2混合物采用稀释化学法可以大量节约化学品及DI水的消耗量。并且SC2混合物中的H 2O2可以完·全去掉。稀释APM SC2混合物(1:1:50)可以有效地从晶片表面去除颗粒和碳氢化合物。强烈稀释HPM混合物(1:1:60)和稀释HCI(1:100)在清·除金属时可以象标准SC2液体一样有效。晶圆清洗机厂家介绍采用稀释HCL溶液的另外一个优点是,在低HCL浓度下颗粒不会沉淀。因为pH值在2~2.5范围内硅与硅氧化物是等电位的,pH值高于该点,硅片表面带有网状负电荷;低于该点,硅片表面带有网状正电荷。这样在PH值高于2~2.5时,溶液中的颗粒与硅表面带有相同的电荷,颗粒与硅表面之间形成静电屏蔽,硅片在溶液中浸蚀期间这种屏蔽可以阻止颗粒从溶液中沉积到硅表面上。
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