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硅化物残留是半导体晶圆制造行业 CMOS 技术中常见且众所周知的缺陷。这种缺陷通常存在于硅化物预清洁步骤之后，即使用标准稀释氢氟酸 (dHF) 清洁后的产品晶片。这种缺陷会导致感应漏电流，直接影响电子产品的电气性能。像许多其他晶圆厂一样，采取了主动和努力，但从未产生非·常显着的改进。直到今天，这种类型的缺陷仍然存在，并且仍然是晶圆制造行业中zui具挑战性和未解决的现象之一。
半导体晶片制造行业的进步一直在迅速推进。半导体晶圆制造简称“fab”，是与其他行业相比zui复杂的制造工艺。半导体晶圆的制造需要zui先进的技术，以在全球竞争者中争先恐后。用于电子集成电路 (IC) 制造的晶圆通常为圆形硅盘大小，直径范围从 6”、8” 到 12”。在完成制造过程后，单个晶圆盘的厚度约为 700 微米，然后再送zhi晶圆锯切工艺。
晶圆制造用于构建具有必要电气结构的组件。制造是由许多重复的顺序过程组成的过程，以生产完整的电子或光子电路。通常，整个晶圆制造过程被细分为zhi少六个不同的模块，即注入、光刻、薄膜、扩散、CMP 和湿法清洁。一个典型的晶圆需要 200 多个重复的工艺步骤，从总步骤到 1000 步[4][5]。一个普通产品的平均周期时间需要 60 到 90 天。
电阻残留物
湿法清洁对于确保先进半导体制造工艺的表面清洁度起着重要作用。随着技术节点的进步，它变得越来越具有挑战性。产品晶圆上存在有·机残留物和颗粒簇会导致很多问题。发现这些颗粒簇和有·机残留物是模具杀手，因此会降·低产品的产量 。残留缺陷会导致两个相邻金属结构之间短路，从而影响电路。随着晶圆生产的裸片数量zui大化的趋势，半导体裸片的物理尺寸必须减小，以便在单个硅晶圆上容纳更多裸片。由于大小的显着减少，这可能会导致两个相邻的点变得更近。
