硅片清洗技术

随着光伏电池和半导体科技的发展，对于硅片表面洁净度的要求越来越高，达到了微米级甚zhi纳.米级的要求，这对目前的硅片表面清洗技术无疑是一项巨.大的挑战，优化和改善硅片的清洗技术迫在眉睫。针对当前的湿法清洗和干法清洗技术，可以从多个方面进行改良，从而实现硅片表面洁净度的严格要求。

（1）湿法清洗对于化学药剂有很大的依赖性，有.机物、氧化层、颗粒、金属离子等不同的杂质需要性质不同的化学药剂，既增加了工序又提高了成本而且产生的废液会造成环境污染，简化湿法清洗的工艺，例如RCA清洗，可以通过研发新型的活性药剂和螯合剂，来缩短工艺提高杂质的去除效率。

（2）减小清洗工艺对硅片表面的损坏是非.常重要的，化学药剂的强氧化性和腐蚀性在除去杂质的同时会对硅片表面造成一定程度的损坏，降.低了硅片的性能和稳定性，可以通过研发和改进清洗工艺，例如在双流雾化清洗工艺的基础上，配合超声波清洗工艺，既不损害坏硅片表面又提高了杂质的去除率。

（3）很多硅片清洗的工艺仅仅局限于实验室，由于成本太高不能大面积推广，需要在原有工艺的基础上寻求替代材料和改善清洗技术，实现清洗设备的小型化和一次性完成硅片清洗使之成为可能。

（4）清洗工艺的自动化是目前大型工厂和企业非.常需要的，自动化干法洗工艺在国内非.常欠缺，在降.低干法清洗的成本同时实现全自动干法清洗是清洗工艺的发展趋势。

（5）联合清洗工艺即湿法清洗和干法清洗的互补互利，既能减少湿法清洗的污染又能提高清洗效率。相信通过深入细致的研究，硅片的清洗技术将拥有更为广阔的前景。