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由于高浓度臭氧水的氧化电位高达2.07 V、反应速率常数高达2.2×10^6 L/（mol·s）,因而臭氧水具有无选择性快速（几秒钟）氧化分解有机污染;并能在几分钟时间内完成硅片清洗、光刻、刻蚀和成膜。采用强电场电离放电把氧离解成高浓度O3,再用强激励溶解方法把高浓度臭氧溶解于水中形成高浓度臭氧水,臭氧水浓度达到34.2 mg/L,满足了硅片清洗所要求的浓度≥30 mg/L。
