晶圆湿法清洗和干法清洗一样吗

你是否好奇过，到底晶圆湿法清洗和干法清洗一样吗？或许这点，说出了大家一样的心中疑惑。那今天就乱来给大家解答与区分一下：晶圆的湿法清洗和干法清洗不一样，二者存在多方面区别。

清洗原理

湿法清洗：使用化学溶剂或去离子水，通过氧化、蚀刻、溶解等化学反应以及物理的冲刷作用来去除晶圆表面的杂质。例如，常用的RCA清洗法，利用碱性溶液（如SC-1清洗液）去除颗粒、有机物质，酸性溶液（如SC-2清洗液）去除金属离子等。

干法清洗：不使用液体化学品，而是采用气体或等离子体等进行清洗。比如等离子清洗，通过产生等离子体与晶圆表面的物质反应，生成挥发性物质，再将其抽走，从而达到清洗的目的。

工艺设备

湿法清洗：需要清洗槽、温控系统、漂洗装置、干燥设备等。清洗槽用于放置清洗液和待清洗的半导体器件；温控系统控制清洗液的温度；漂洗装置提供纯化水进行漂洗；干燥设备如烘箱或气流吹干系统用于去除水分。

干法清洗：主要设备是等离子体反应腔，其内部设有电极、气体输送系统、真空系统和控制系统等，用于产生和维持等离子体环境。

适用范围

湿法清洗：适用于去除晶圆表面的颗粒、有机物、金属离子等多种污染物，对于一些可溶于化学试剂的杂质去除效果较好。但可能会对晶圆表面的一些敏感结构造成损伤，且清洗后需要进行彻底的干燥处理，以避免水渍残留。

干法清洗：对于一些有机物以及氮化物、氧化物的去除精度更高，效果更卓越，且不会引入液体相关的污染问题。但设备投资费用高，操作复杂，清洗条件更加苛刻。

环境影响

湿法清洗：会产生大量的废液，如果处理不当，会对环境造成污染，需要配套完善的废水处理系统来处理这些含有化学物质的废水。

干法清洗：虽然不会产生废液，但在清洗过程中可能会产生一些有害气体，需要对尾气进行处理，以减少对环境的危害。